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罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT研讨会亮点回顾

时间:2026-07-10 14:34:10 来源:北京中展普仁国际展览有限公司. 作者:休闲 阅读:179次

精彩回顾

2026年1月21日,罗姆亮点“车载应用端的车载低压MOSFET高压IGBT”在线研讨会得到了大家的支持,再次谢谢大家的应用压IT研热情参与!错过本次直播的端的低压小伙伴,可以点击下方查看回放。和高回顾

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·安装可靠性高的罗姆亮点10种型号、3种封装的车载车载Nch MOSFET

·实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

·MOSFET产品列表

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面向车载应用的产品目录

晶体管的种类和特征

罗姆功率半导体产品概要

除此以外,罗姆君选取了研讨会中一些有代表性的应用压IT研提问在这里与大家分享,供大家回顾。端的低压

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罗姆低压MOSFET/碳化硅产品优势

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低压MOSFET车规级认证齐全,和高回顾采用沟槽栅极结构,罗姆亮点实现超低导通电阻,车载减少功率损耗,应用压IT研采用新一代制造工艺与高性能封装技术,端的低压在性能上实现了关键突破,和高回顾具备高电流承载能力与卓越的散热特性,能够充分满足各类高端应用场景对稳定性和可靠性的严苛要求。SiC器件全产业链垂直整合,第四代沟槽栅结构,在导通电阻,开关损耗方面领先行业。

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车规高压IGBT宽温域参数漂移抑制方案

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从芯片设计源头降低参数的温度敏感性,提升稳定性。

使用AMB衬底,铜夹片,双面散热等封装技术,降低热阻和热应力,保证芯片在宽温域下工作环境温和均匀。

在驱动设计上增加主动抑制手段,通过外部电路实施“校正”参数漂移,确保系统行为一致。

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车规高压IGBT保护响应速度与车载安全规范适配

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器件本身具备高短路耐受能力,搭配DESAT+电流采样双快速检测、分级关断策略,过温保护设三级机制且内置快响温感;响应时间满足ISO 26262/6469标准,配合冗余设计、整车系统协同,实现故障快速处置与多层安全防护。

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罗姆车规封装认证与可润湿侧翼可靠性

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全系列通过AEC-Q101、IATF 16949等核心车规认证;可润湿侧翼封装采用独有电镀工艺,高低温循环、振动、热冲击等严苛测试中,参数变化小、零失效或低损耗,还支持AOI检测,提升焊接合格率与机械稳定性。

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RGP系列替换竞品点火IGBT系统级验证要点

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首先确认点火能量和波形,雪崩能量耐受是最重要的参数之一。

其次确认极端工况结温,进行耐久性测试等可靠性验证。

同样还要兼顾EMC测试,系统安全与诊断验证。

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罗姆封装技术独特优势

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罗姆的封装技术核心围绕“高散热、高密度、高可靠”三大目标,尤其针对汽车和工业等严苛应用。采用双面散热封装技术,内部结构优化和材料创新,提高焊接工艺等完美满足AEC-Q101标准,并优化封装内部布局和引脚设计,有效降低栅极和源极寄生电感。

(责任编辑:休闲)

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